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冷熱沖擊實驗箱主要測試半導體封裝體熱脹冷縮的耐久性
日期：2024-12-27 00:14
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摘要：
將封裝后的芯片置于冷熱沖擊實驗箱（150℃和-65℃工作室各15分鐘，循環1000次）；經此循環后測試芯片電路性能。
在封裝中，材料之間都有相應的結合面，在封裝體所處環境的溫度有所變化時，封裝體內各種材料就會有熱脹冷縮效應，當材料熱脹冷縮系數不同時，其熱脹冷縮時程度將有所不同，這樣原來緊密結合的材料結合面就會出現問題。主要材料包括：導線架的銅材料，芯片的硅材料，連接用的金線材料，還有芯片粘結的膠體材料；其中塑料包封裝與硅芯片，導線框有大面積接觸，容易脫皮，...
將封裝后的芯片置于冷熱沖擊實驗箱（150℃和-65℃工作室各15分鐘，循環1000次）；經此循環后測試芯片電路性能。
在封裝中，材料之間都有相應的結合面，在封裝體所處環境的溫度有所變化時，封裝體內各種材料就會有熱脹冷縮效應，當材料熱脹冷縮系數不同時，其熱脹冷縮時程度將有所不同，這樣原來緊密結合的材料結合面就會出現問題。主要材料包括：導線架的銅材料，芯片的硅材料，連接用的金線材料，還有芯片粘結的膠體材料；其中塑料包封裝與硅芯片，導線框有大面積接觸，容易脫皮，硅芯片與粘合的硅膠也會在測試中失效。芯片表面脫層導致電路短路，脫層處影響到金線，扯斷金線會造成短路，芯片在測試中開裂，會導致電路混亂或短路。為了更好通過測試，盡量減少各種材料的熱膨脹差異，在芯片表面涂上一層緩沖層膠體過度是好的解決方案。